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半導體學報雜志簡介
《半導體學報》是由中國電子學會主辦，中國科學院半導體研究所承辦的學術(shù)刊物，報道半導體物理學和半導體科學技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)最新的科研成果和技術(shù)進展，被EI、CA、SA等收錄，在中國科學院、國家科委、中共中央宣傳部和國家新聞出版署的期刊評比中多次獲獎。
半導體學報雜志欄目設(shè)置
《半導體學報》主要欄目有：研究快報、研究論文、研究簡報、技術(shù)進展等。
半導體學報雜志榮譽信息
半導體學報雜志訂閱方式
地址：北京市海淀區(qū)清華東路甲35號，郵編：100083。
半導體學報雜志社投稿須知
1.文章標題：一般不超過20個漢字，必要時加副標題，并譯成英文。
2.作者姓名、工作單位：題目下面均應(yīng)寫作者姓名，姓名下面寫單位名稱（一、二級單位）、所在城市（不是省會的城市前必須加省名）、郵編，不同單位的多位作者應(yīng)以序號分別列出上述信息。
3.提要：用第三人稱寫法，不以“本文”、“作者”等作主語，應(yīng)是一篇能客觀反映文章核心觀點和創(chuàng)新觀點的表意明確、實在的小短文，切忌寫成背景交代或“中心思想”，100－200字為宜。
4.關(guān)鍵詞：3－5個，以分號相隔，選擇與文章核心內(nèi)容相關(guān)的具有獨立性的實在詞。
5.正文標題：內(nèi)容應(yīng)簡潔、明了，層次不宜過多，層次序號為一、（一）、1、（1），層次少時可依次選序號。
6.正文文字：一般不超過1萬字，正文用小4號宋體，通欄排版。
7.數(shù)字用法：執(zhí)行GB/T15835－1995《出版物上數(shù)字用法的規(guī)定》，凡公元紀年、年代、年、月、日、時刻、各種記數(shù)與計量等均采用阿拉伯數(shù)字；夏歷、清代及其以前紀年、星期幾、數(shù)字作為語素構(gòu)成的定型詞、詞組、慣用語、縮略語、臨近兩數(shù)字并列連用的概略語等用漢字數(shù)字。
8.圖表：文中盡量少用圖表，必須使用時，應(yīng)簡潔、明了，少占篇幅，圖表均采用黑色線條，分別用阿拉伯數(shù)字順序編號，應(yīng)有簡明表題（表上）、圖題（圖下），表中數(shù)據(jù)應(yīng)注明資料來源。
9.注釋：注釋主要包括釋義性注釋和引文注釋，集中列于文末參考文獻之前。釋義性注釋是對論著正文中某一特定內(nèi)容的進一步解釋或補充說明；引文注釋包括各種不宜列入文后參考文獻的引文和個別文后參考文獻的節(jié)略形式，其序號為①②③……。
10.參考文獻：參考文獻是作者撰寫論著時所引用的已公開發(fā)表的文獻書目，是對引文作者、作品、出處、版本等情況的說明，文中用序號標出，詳細引文情況按順序排列文尾。以單字母方式標識以下各種參考文獻類型：普通圖書[M]，會議論文[C]，報紙文章[N]，期刊文章[J]，學位論文[D]，報告[R]，標準[S]，專利〔P〕，匯編[G]，檔案[B]，古籍[O]，參考工具[K]，其他未說明文獻〔Z〕。格式與示例如下：
（1）圖書類格式：[序號]主要責任者.文獻題名:其他題名信息(任選)[文獻類型標識].其他責任者(任選).出版地:出版者,出版年:起止頁碼.
（2）期刊文章格式：[序號]主要責任者.文獻題名[J].刊名(建議外文刊名后加ISSN號),年,卷(期):起止頁碼.
（3）報紙文章格式：[序號]主要責任者.文獻題名[N].報紙名,出版日期(版次).
（4）古籍格式：[序號]主要責任者.文獻題名[O].其他責任者(包括校、勘、注、批等).刊行年代(古歷紀年)及刊物機構(gòu)(版本).收藏機構(gòu).
（5）析出文獻格式：[序號]析出文獻主要責任者.析出文獻題名[文獻類型標識]//原文獻主要責任者(任選).原文獻題名.出版地:出版者,出版年:析出文獻起止頁碼.
（6）電子文獻格式：主要責任者.文獻題名[文獻類型標識/載體類型標識].出處或可獲得地址，發(fā)表或更新日期/引用日期（任選）.
（7）文獻重復引用標記：同一作者的同一文獻被多次引用時，在文后參考文獻中只出現(xiàn)一次,其中不注頁碼；而在正文中標注首次引用的文獻序號，并在序號的角標外著錄引文頁碼。
11．基金項目：獲得國家基金資助和省部級科研項目的文章請注明基金項目名稱及編號，按項目證明文字材料標示清楚。
12．作者簡介：姓名（出生年-），性別，民族（漢族可省略），籍貫，現(xiàn)供職單位全稱及職稱、學位，研究方向。
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14．其他：請勿一稿兩發(fā)，并請自留原稿，本刊概不退稿。
半導體學報雜志范例
一種采用斬波穩(wěn)零技術(shù)的16位,96kHz帶寬Σ-ΔAD轉(zhuǎn)換器
雙勢壘量子阱薄膜力電耦合特性實驗
氮摻雜對單壁碳納米管的非平衡電子輸運特性的影響
采用銦束流保護下的調(diào)制中斷生長技術(shù)改善(0001)GaN表面形貌
微區(qū)中MBE共度生長SiGe/Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)的應(yīng)變和退火效應(yīng)
InGaN混溶隙的計算
襯底溫度和生長速率對MBE自組織生長InxGa1-xAs/GaAsQD的影響
GaAs(100)熱退火表面的變角XPS定量分析
Ge/Si(100)界面互擴散的喇曼光譜
硅、鍺和氬離子注入富硅二氧化硅的電致發(fā)光
在硅襯底上用HFCVD法生長的納米SiC薄膜及其室溫光致發(fā)光
Si基熱氧化Si1-x-yGexCy薄膜的室溫光致發(fā)光特性
弛豫SiGe外延層的UHV/CVD生長
用SIPOS-SiO2復合層對4H-SiCn+pp+結(jié)構(gòu)鈍化的分析
中子輻照下的6H-SiCpn結(jié)電特性分析
